Beschreibung
Dieses Buch zeigt die Entwicklung eines Leistungsverstärkers für LTE an der Grenze der ebenen CMOS-Technologie. Es beinhaltet theoretische Design-Konzepte, Simulationen und Messungen für einen Leistungsverstärker basierend auf den Hochlad-Übertragungs-Spezifikationen für die Mobilfunkkommunikation, definiert von 3GPP. Es zeigt die grundlegende Fähigkeit der CMOS-Technologie für eine volle Integration auf einem kompletten System auf einem einzelnen Chip.
Unterschiedliche Leistungsverstärkerklassen und Linearisierungskonzepte werden zusammengefasst und verglichen. Ein besonderes Augenmerk richtet sich dabei auf eine Auswahl von publizierten Watt-Leistung Leistungsverstärkern und implementierten digitalen Leistungsverstärkern. Diese grundlegenden Betrachtungen waren die Grundlage der späteren implementierten Entwürfe.
Ein isolierter linearer Leistungsverstärker wurde entwickelt und als Chip ohne Gehäuse auf einer Leiterplatte vermessen. Der digitale Leistungsverstärker wurde auf einem LTE-Sende-Empfänger integriert was die Möglichkeit zur späteren Verifikation des gesamten Systems gab.
Die Chip-Fotos des linearen und des digitalen Leistungsverstärkers zeigen deren Architekturen, welche auf einem Chip in 28nm-CMOS-Technologie implementiert wurden, von der Perspektive der obersten Metalllage.
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